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設備特點
GNX200BP是一款持續向下進給式減薄設備，采用機械臂傳送硅片，減薄完成后，有兩個獨立的清洗腔，清洗效果更佳。工作盤轉速、主軸轉速、主軸下壓速度都可調，有助于平衡產量、減薄品質、磨輪壽命。采用兩點式實時測厚儀測量主軸1和主軸2下的硅片厚度，采用3點測控主軸角度調整機構來控制加工的平整度(TTV)。減薄工序完成后，硅片即會被自動傳送的拋光腔，經過拋光工序，去除硅片表面損傷，提高晶圓強度，最薄可以加工50μm的晶圓。
規格參數
項目 | 參數 | 項目 | 參數 |
支持最大wafer尺寸 | 8英寸 | 測厚范圍 | 0-1.2mm |
主軸形式 | 空氣主軸，最高3600rpm | 料盒數量 | 每個工作單元(減薄&拋光)各2個料盒 |
主軸驅動電機功率 | 2.2kW/4kW | 拋光機構功率 | 3kW 交流伺服電機(0-460rpm) |
磨輪直徑 | 250mm | 拋光波速 | 100-8000mm/min |
工作臺數量 | 3個工作臺 | 拋光壓力 | 50-999g/cm2 |
工作臺形式 | 機械軸(標配)承或空氣軸承(選配) | 拋光磨輪尺寸 | 200mm |
工作臺轉速 | 1-600rpm | 拋光臺轉速 | 50-200rpm |
測厚機構 | 2點接觸式測厚機構 | 真空盤材質 | 氧化鋁邊框+陶瓷氣孔盤 |
測厚精度 | 1um | 自潔方式 | 水沖+刷洗 |
